| Titel | Electric potentials effects on friction between silicon carbide surfaces in aqueous solutions |
| Autor | Hui Lu, Tobias Amann, Andreas Kailer |
| Infos zum Autor | Hui Lu (a,b), Tobias Amann (b), Andreas Kailer (b) (a) Karlsruher Institut für Technologie, Institut für Angewandte IAM-IZBS, Engelbert-Arnold-Straße 4, 76131 Karlsruhe (b) Fraunhofer-Institut für Werkstoffmechanik IWM, MikroTribologie Centrum, Wöhlerstraße 11, 79108 Freiburg |
| Inhalt | Zusammenfassung Ziel dieser Arbeit war die Untersuchung des Einflusses des elektrischen Potenzials auf Reibung und Verschleiß von Siliziumkarbid in wässriger Lösung. Mittels eines Stift-Scheibe-Tribometers wurde der Einfluss des elektrischen Potenzials (-1 bis +1 V gegen Hg/HgCl) ermittelt. Durch die Polarisation wurden deutlich geringere Reibwerte und Verschleißraten gemessen. Der Reibwert zeigt eine starke Abhängigkeit vom elektrischen Potenzial. Der Reibwert erreicht bei Leerlaufspannung sein Maximum (-260 mv gegen Hg/HgCl). Abstract The effects of electric potentials on the friction and wear behaviors of silicon carbide in aqueous solution were investigated. A pin-on-disc tester was modified to study SiC under the influence of electric potentials between ?1 and +1 V (vs. Hg/HgCl). It was observed that both the friction coefficient and wear rates of SiC were decreased under the electric polarization. Friction coefficient was shown to be a function of potential and reached a maximum at the potential of open circuit potential (-260 mv Vs. Hg/HgCl). |
| Datum | 2012 |
